酸刻蝕型多晶硅制絨液配方分析
發(fā)布時(shí)間:2012/7/25 16:49:46 來源：李工 字體: 
多晶硅制絨液廣泛應(yīng)用于光伏行業(yè)硅片的加工，禾川化工引進(jìn)國外高端配方破譯技術(shù)，專業(yè)從事多晶硅制絨液配方分析，配方檢測，成分分析，成分檢測，配方還原，禾川為光伏企業(yè)提供整套技術(shù)解決方案一站式服務(wù)。
導(dǎo)語：制絨，光伏行業(yè)術(shù)語，處理太陽能級(jí)硅片的一種工藝方法，硅太陽能電池片生產(chǎn)的一道工序．本文詳細(xì)介紹了多晶制絨液的原理，常見組分 配方體系 配方參考等．請(qǐng)注意，本文中配方的具體數(shù)值經(jīng)過修改，如要了解更多，可聯(lián)系我們的技術(shù)咨詢顧問；0512－82190669
關(guān)鍵詞：稠油多晶制絨液 多晶制絨液配方 禾川化工
一.背景
在太陽能電池制備過程中，為提高其性能和效率，必須讓更多的太陽光進(jìn)入晶體硅。有效的辦法是在硅表面進(jìn)行修飾, 使硅表面形成絨面結(jié)構(gòu)（即硅表面均勻分布著陷阱坑）, 有效的絨面結(jié)構(gòu)可以使得入射光在硅片表面進(jìn)行多次反射和折射，改變?nèi)肷涔庠诠杵械那斑M(jìn)方向。一方面，延長了光程，從而使光有更多的機(jī)會(huì)進(jìn)入到晶體硅中, 這就是多晶硅的陷光效應(yīng)，增加了硅片對(duì)紅外光的吸收率；另一方面，使得等多的光子在靠近PN結(jié)附近的區(qū)域被吸收產(chǎn)生載流子，這些光生載流子更容易被收集，因此增加了載流子的收集效率。
二.酸修飾多晶硅制絨液常見組分：
酸修飾多晶硅植絨液，一般由無機(jī)酸組成，其配方組成有氧化劑、絡(luò)合劑、輔助腐蝕劑等。通常選用HF/HNO3/H2O 系列溶液對(duì)多晶硅表面腐蝕，可在晶體硅表面獲得有一定分布的陷阱坑，但多晶硅表面腐蝕坑形貌及其分布與制絨液配方、制絨的工藝參數(shù)密切相關(guān)；還因酸制絨過程速度比較快, 因此實(shí)現(xiàn)有效調(diào)控，使多晶硅表面陷阱坑分布密度和陷阱坑的深度成為重點(diǎn)。
2.1 氧化劑
HNO3可作為氧化劑成分, 可以和單質(zhì)硅發(fā)生氧化還原反應(yīng)，在硅片表面形成SiO2層。
2.2 絡(luò)合劑
HF作為絡(luò)合劑去除SiO2層，從而在多晶硅片上形成好的絨面結(jié)構(gòu)。
理論上NaNO2也可以作為腐蝕液中的氧化劑，用NaNO2替代HNO3，可能的反應(yīng)方程式如下：
Si+4NaNO2+2H2O —— SiO2+4NO+4[NaOH] (1)
SiO2+6HF——[H2SiF6]+2H2O (2)
Si+4NaNO2+6HF——[H2SiF6]+4NO+4[NaOH] (3)
與酸腐蝕液HF/ HNO3 / H2O 相比，一方面NO2的存在，消除了反應(yīng)的緩沖時(shí)間，另一方面NO2-離子的氧化能力要比HNO3電離的NO3- 弱，因此形成的SiO2 速度要慢，腐蝕穩(wěn)定。
2.3 輔助腐蝕劑
在多晶硅表面腐蝕液中加入( NH4 ) 2C2O4 ，類似于加入CH3COOH，增加腐蝕的各向異性特性，改變硅片的制絨形貌。如果把兩種方法有效結(jié)合起來，理論上應(yīng)該可以獲得比較好的
修飾效果。
2.4.硅片制絨面的評(píng)價(jià)方法
將刻蝕制成的硅絨面，利用積分反射儀測量其表面反射率,進(jìn)而評(píng)估硅片表面的光電轉(zhuǎn)換率；利用掃描隧道顯微鏡觀察硅片表面形貌及粗略估計(jì)刻蝕深度，并觀測金字塔的大小及均勻程度。
三.常見的配方體系
3.1 HF/HNO3/H2O型
HF( 40%) 50ml
HNO3 ( 68%) 250ml
H2O 150ml
按照上述比例配制溶液, 制成傳統(tǒng)配方, 在20℃下腐蝕130s。經(jīng)實(shí)驗(yàn)得出，傳統(tǒng)酸配方腐蝕呈現(xiàn)各向同性腐蝕特性,硅表面有蚯蚓狀的腐蝕坑, 但腐蝕坑比較淺, 單位面積腐蝕坑密度不高, 這種表面結(jié)構(gòu)很難使光在凹坑內(nèi)有多次往返, 導(dǎo)致光反射率高,平均反射率約32%。
3.2 HF/ NaNO2/H2O型
HF( 40%) 360ml
NaNO2 1.2g
H2O 120ml
按照上述比例配制溶液,在室溫下腐蝕130s。此配方也會(huì)導(dǎo)致多晶硅各向同性腐蝕, 硅表面有許多形狀如蚯蚓狀、深度較大的腐蝕坑, 而且分布密集, 如此修飾后的表面會(huì)導(dǎo)致光在腐蝕坑里多次往返,使光不容易反射到空氣中,從而導(dǎo)致更多的光進(jìn)入多晶硅, 能有效提高太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率,平均表面反射率為29%
3.3 HF/HNO3/( NH4) 2C2O4/H2O型
HF( 40%) 50ml
HNO3 ( 68%) 250ml
( NH4) 2C2O4 5.16g
H2O 75ml
按照上述比例配制溶液,在室溫下腐蝕90s。實(shí)驗(yàn)研究發(fā)現(xiàn), 加入( NH4) 2C2O4 /H2O后能有效提高腐蝕速度, 而且單位面積腐蝕坑密度比較小。SEM 圖片上顯示大且淺的腐蝕坑, 這樣的結(jié)構(gòu)使光在腐蝕坑里往返次數(shù)不多, 導(dǎo)致光反射率大, 不利于光的收集, 實(shí)驗(yàn)測量反射率高達(dá)41%。但按這個(gè)配方長時(shí)間腐蝕多晶硅片, 硅表面沒有出現(xiàn)峽谷式的腐蝕通道。
四.硅片制絨液檢簡單工藝：
4.1 兩步酸刻蝕法
首先在HF/ NaNO2/H2O腐蝕液中腐蝕晶體硅表面30s, 然后放到HF/HNO3/( NH4) 2C2O4 /H2O腐蝕液中腐蝕20s。通過積分反射儀測量反射率曲線, 該表面整體反射率曲線比較低, 綜合反射率下降到24.8%。
五.制絨液參考配方
|
組分 |
投料量（g/L） |
|
聚乙二醇 |
10~20 |
|
異丙醇 |
20~50 |
|
碳酸鈉 |
0~2 |
|
氫氧化鈉 |
0~1 |
|
檸檬酸鈉 |
0~1 |
|
果糖鈉 |
0~1 |
|
纖維素 |
0~3 |
|
亞硫酸鈉 |
10~20 |
|
乳酸鈉 |
5~10 |
|
木質(zhì)素磺酸鹽 |
0~3 |
|
水 |
余量 |
六.市面常見制絨液：
堿性制絨液、酸性制絨液、單晶硅制絨液、多晶硅制溶液、制絨添加劑、
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